陈涛教授，男，中国电子科技集团公司第四十六研究所工程师，天津籍。
从事半导体硅材料的研发生产、了解硅单晶材料的生长、加工技术，掌握硅外延材料的设计、制备、检验技术
在硅外延专业领域完成3项总装配套项目；在硅外延工艺中的杂质控制技术、热场模拟技术、气体流场模拟技术、缺陷控制及检测技术等方面开展了大量工作。
主要学术成果：
论文：外延层过渡区对肖特基二极管I-V特性的影响；
专利：一种CCD器件用硅外延片的制备方法；
      一种高均匀性硅外延材料的制备方法；
专业方向：一、二、三代半导体材料；陶瓷材料；薄膜材料；